图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJE170, 71, 72, 80, 81, 82 |
| 文档 |
Multiple Devices 06/Oct/2006 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.7V @ 600mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 50 @ 100mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 12.5W |
| 频率转换 | 50MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | TO225AA |
| 包装材料 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 50@100mA@1V|30@500mA@1V|12@1.5A@1V |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 包装高度 | 11.04(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 12500 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| Maximum Transition Frequency | 50(Min) |
| 封装 | Bulk |
| PCB | 3 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 2.66(Max) |
| 供应商封装形式 | TO-225 |
| 包装长度 | 7.74(Max) |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 50MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.7V @ 600mA, 3A |
| 标准包装 | 500 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO225AA |
| 功率 - 最大 | 12.5W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 50 @ 100mA, 1V |
| 其他名称 | MJE181OS |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 3 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 | 7 V |
| 频率（最大） | 50 MHz |
| 功率耗散 | 12.5 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TO-225 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 50 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | NPN |
| 频率 | 50 MHz |
| 直流电流增益 | 50 |
| 集电极电流（DC ） | 3 A |
MJE181也可以通过以下分类找到
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
